臺(tái)灣中興大學(xué)訂購(gòu)愛(ài)思強(qiáng)CCS MOCVD系統(tǒng)用于硅基氮化鎵研發(fā)
6月26日，愛(ài)思強(qiáng)宣布臺(tái)灣中興大學(xué)向其訂購(gòu)一套3x2英寸芯片規(guī)格的近耦合噴淋頭®(CCS) MOCVD系統(tǒng)。
據(jù)悉，中興大學(xué)將利用CCS系統(tǒng)進(jìn)行在硅芯片上異質(zhì)外延生長(zhǎng)氮化鎵(“硅基氮化鎵”)技術(shù)的研發(fā)。自2001年以來(lái)，中興大學(xué)研發(fā)團(tuán)隊(duì)已成功開(kāi)發(fā)多項(xiàng)獨(dú)特的氮化鎵和磷化鋁鎵銦LED技術(shù)。如今，這個(gè)涵蓋外延生長(zhǎng)到設(shè)備加工與包裝的綜合實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)成為臺(tái)灣領(lǐng)先的研發(fā)中心之一。
中興大學(xué)材料科學(xué)與工程系的武教授評(píng)論說(shuō)：“愛(ài)思強(qiáng)的近耦合噴淋頭®系統(tǒng)是研究硅基氮化鎵的完美選擇。中興大學(xué)精密工程研究所的洪教授補(bǔ)充說(shuō)：“這套反應(yīng)器具有適應(yīng)廣泛、操作簡(jiǎn)易的特點(diǎn)，且可實(shí)現(xiàn)我們所需要的一系列參數(shù)的可復(fù)制性，將為我們生產(chǎn)高質(zhì)量的硅基氮化鎵外延片和其他新結(jié)構(gòu)提供一臂之力。”
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