隨著5G通信技術的快速發展，基站數量和功率密度大幅增加，特別是在高頻毫米波段，射頻（RF）模塊的功率損耗顯著提升。由于射頻功放芯片在工作過程中會產生大量熱量，如果散熱不當，可能導致器件性能下降、信號失真，甚至縮短設備壽命。
因此，如何有效管理熱量已成為5G基站設計中的關鍵挑戰。鉬銅（Mo-Cu）合金因其優異的導熱性、低熱膨脹系數（CTE）及高穩定性，在5G基站射頻模塊的散熱管理中發揮著重要作用。
5G基站的射頻前端主要包括功率放大器（PA）、濾波器、天線等關鍵組件，其中功率放大器是主要的熱源。相比4G，5G基站的射頻模塊面臨更嚴苛的散熱挑戰：
1.高功率密度
5G基站的傳輸功率大幅提高，毫米波頻段（如28GHz、39GHz）功放芯片的功率密度遠超4G，對散熱材料提出更高要求。
2.高頻工作環境
高頻電路對溫度變化敏感，溫度過高會影響射頻信號穩定性，甚至導致增益漂移，影響基站覆蓋范圍。
3.小型化和輕量化設計
5G基站采用大規模MIMO（Massive MIMO）技術，天線數量增多，模塊設計趨向小型化，使得有效的散熱設計更加重要。
4.長期可靠性需求
5G基站需要在高溫、高濕、風沙等惡劣環境下長期運行，散熱材料必須具備優異的耐久性和穩定性。
鉬銅合金在5G基站射頻模塊中的應用
1.射頻功率放大器（RF PA）基板
射頻功放芯片（如GaN、SiC）的工作溫度可達150-200°C，如果散熱不及時，會影響功率放大器的性能。Mo-Cu基板具有高導熱性和低CTE匹配性，可作為射頻芯片的熱管理基板，提高散熱效率，增強系統可靠性。
2.熱擴散片（Heat Spreader）
由于5G基站模塊集成度高，熱量集中，Mo-Cu合金可用作熱擴散片，將熱量均勻分布至更大面積，優化散熱路徑，防止局部過熱。
3.天線陣列封裝
5G毫米波天線陣列封裝要求輕質、高導熱、低熱膨脹，Mo-Cu合金的特性使其成為理想的天線封裝材料，有助于提升基站的穩定性和信號傳輸質量。
4.功率模塊引線框架（Lead Frame）
Mo-Cu合金可作為5G基站功率模塊的引線框架，提高導電性和機械強度，同時優化散熱性能，減少寄生電感，提高系統效率。
